三星：3nmGAA研发进度领先台积电，将尽早商业化

三星：3nmGAA研发进度领先台积电，将尽早商业化

8月26日消息，据韩媒Business Korea报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung周三（25日）在一场网络技术论坛中表示，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。

他说，“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据报道，GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构，将之由鳍式场效电晶体（FinFET）的3D转为GAA的4D。

行业分析师指出，谁先将首先将GAA技术商业化，还有待进一步观察。这是因为台积电在早期也积极将该技术商业化。2011年至2020年间，全球31.4%的GAA专利来自台积电，三星电子的GAA专利占20.6%。

三星电子表示，其在技术上与台积电并驾齐驱。Jeong Eun seung指出，三星的晶圆代工事业2017年才开始，不过我们将凭借在存储芯片领域的技术根基，超越台积电。他举例三星曾在台积电之前，就开发了一款搭载FinFET技术的14MHz产品。