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三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM
10月12日消息，据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。继去年3月出货业界首款EUVDRAM之后，三星电子已将EUV
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DRAM合约价格Q4跌幅将超出预期？
9月24日消息，据媒体报道，在今年8月份，研究机构就曾表示，由于供求状况发生了变化，加之供求双方存在较大的分歧，在三季度已经过了一半的情况下，供求双方仍未就三季度DRAM的合约价格达成一致。供求关系发生变化，在三季度过了一半的情况下仍未就三季度
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二季度DRAM市场出货量与价格均处高位 三星电子市场份额达43%
9月1日消息，Omdia发文表示，2021年二季度DRAM市场出货量处于高位，价格也有大幅提高。市场大多数应用领域的需求均十分强劲，这使得各家DRAM生产商仅凭及时供货，便实现了量和质的双重增长。2021年二季度DRAM市场的领跑者是三星电子，
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看空存储芯片后市还太早？业内厂商驳斥大摩“凛冬将至”论调
上周四，摩根士丹利分析师警告存储芯片行业“凛冬将至”(WinterIsComing)，尤其是DRAM，认为NAND和NORFlash的供需关系更健康，但明年或转跌。对此，NORFlash厂旺宏董事长吴敏求、NANDFlash厂群联董事长潘健成纷
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SK海力士开始使用EUV大规模生产1anmDRAM
7月12日，SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的8Gigabit（Gb）LPDDR4移动端DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。SK海力士预计从下半年
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在市场供给缺口持续扩大情况下，利基型DRAM价格再现飙涨行情
6月8日消息，随着韩系DRAM大厂加速旧制程移转生产CMOS影像传感器，在市场供给缺口持续扩大情况下，利基型DRAM价格再现飙涨行情，5月合约价续涨9～13％，累计今年涨幅已逾50％，其中缺货最严重的2Gbx16DDR3合约价今年涨幅已逼近90
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兆易创新首款自研DRAM实现量产 有望分享行业高景气
兆易创新今日宣布，首款自有品牌4GbDDR4产品GDQ2BFAA系列现已量产，实现从设计、流片，到封测、验证的全面国产化，助力国产自主供应生态圈的发展构建。兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理胡洪表示，首款自有品牌DRAM产品标志着兆易创新正式
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随着NAND和DRAM的价格上涨趋势，业务环境有所改善
5月27日消息，美光(MU.US)首席执行官SanjayMehrotra在摩根大通全球技术、媒体和通信会议上表示，该公司预计第三季度营收将达到或高于此前的69亿至73亿美元的预期。Mehrotra认为，随着NAND和DRAM的价格上涨趋势，NA
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DRAM巨头合并市占超过9成，认为是市场公平竞争的结果
BusinessKorea7日报导，美国律师事务所HagensBerman3日向美国加州北区联邦地方法院提出消费者集体诉讼官司，指控DRAM业者三星电子、SK海力士、美光等联合哄抬DRAM价格。该律师事务所的诉状写到，这三家公司掌控了接近100
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消息称南亚科启动DRAM新厂投资案，规模高达千亿元
DRAM供不应求，台塑集团旗下DRAM大厂南亚科即将启动新投资计划，规模高达千亿元，预计今天（20日）将与新北市长侯友宜一同宣布此消息。南亚科新建12英寸DRAM厂将为在泰山区，总投资金额高达千亿元；据悉，新厂将座达到原3A厂附近，预计在今年底
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全球大厂逐渐退出利基型DRAM市场，对台厂无非是一大利多
AI、物联网等消费性电子产品对动态随机存取内存（DRAM）需求大增，加上全球大厂逐渐退出利基型DRAM市场，对台厂无非是一大利多。「看起来这是上升趋势（Up-trend）的开始。」在法说会上，被法人问到今年内存市况时，全球DRAM市占率近3％的
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SK海力士将扩产高附加值DRAM芯片
在这一轮芯片缺货行情下，存储器已进入供不应求的境地，产能出现一定短缺。3月22日，SK海力士以及在SEMICONCHINA出席的SK海力士产业投资主席李丙德对记者表示，公司正积极应对该局面,在积极满足市场需求的同时，将努力扩大战略性产品的比重以